一种集成电路铜CMP组合物及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410808839.8

申请日：

2014-12-22

公开(公告)号：

CN104513627A

公开(公告)日：

2015-04-15

发明(设计)人：

潘国顺邹春莉顾忠华徐莉龚桦王鑫

申请人：

申请人地址：

518108 广东省深圳市南山区松白路西丽南岗第二工业园九栋一楼

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

C23F304

代理机构：

深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311

代理人：

哈达

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09G 1/02 申请日:20141222 授权公告日:20170405 终止日期:20191222
2017-04-05	授权	授权
2015-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609212449 IPC(主分类):C09G 1/02 专利申请号:2014108088398 申请日:20141222
2015-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种GaN厚膜片CMP组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

邹春莉 ;

徐莉 ;

顾忠华 ;

龚桦 ;

史晓磊 ;

周艳 .

中国专利 :CN104745095A ,2015-07-01

[2]

适用于集成电路铜互连结构阻挡层的抛光组合物及其应用 [P].

李国庆 ;

王瑞芹 ;

卫旻嵩 .

中国专利 :CN119570373A ,2025-03-07

[3]

一种原位组合磨粒铜抛光组合物 [P].

潘国顺 ;

王宁 ;

龚剑锋 ;

雒建斌 ;

路新春 ;

刘岩 .

中国专利 :CN102140313A ,2011-08-03

[4]

适用于集成电路铜互连结构化学机械抛光的抛光组合物及其应用 [P].

李国庆 ;

卞鹏程 ;

朱林君 ;

卫旻嵩 .

中国专利 :CN119264816A ,2025-01-07

[5]

一种用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物及其制备方法 [P].

宋伟红 ;

蔡庆东 .

中国专利 :CN112175525A ,2021-01-05

[6]

一种新型碱性铜CMP抛光液及其制备方法 [P].

牛新环 ;

刘江皓 ;

邹毅达 ;

周佳凯 ;

石芸慧 ;

周建伟 ;

王如 ;

檀柏梅 .

中国专利 :CN119243160A ,2025-01-03

[7]

一种铜/钼蚀刻液组合物及其应用 [P].

吴豪旭 ;

赵芬利 ;

梅园 .

中国专利 :CN108950557A ,2018-12-07

[8]

一种铜蚀刻液组合物及其制备方法 [P].

赵方方 ;

申阳 ;

李泰亨 ;

王丹宇 ;

王泽 .

中国专利 :CN119876956A ,2025-04-25

[9]

一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法 [P].

仲跻和 .

中国专利 :CN1944613A ,2007-04-11

[10]

一种铜化学机械抛光组合物 [P].

顾忠华 ;

龚桦 ;

王宁 ;

潘国顺 .

中国专利 :CN102329572B ,2012-01-25

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