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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810179077.8
申请日：
2018-03-05
公开(公告)号：
CN110233132A
公开(公告)日：
2019-09-13
发明(设计)人：
宋兴华
申请人：
申请人地址：
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L23522
H01L23528
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣;吴敏
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-10-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20180305 |
| 2019-09-13 | 公开 | 公开 |