用于电子束直写光刻的设计方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010113800.6

申请日：

2010-02-09

公开(公告)号：

CN101826453A

公开(公告)日：

2010-09-08

发明(设计)人：

鲁立忠郑仪侃刘如淦赖志明

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

代理机构：

北京市德恒律师事务所 11306

代理人：

梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101010882453 IPC(主分类):H01L 21/027 专利申请号:2010101138006 申请日:20100209
2010-09-08	公开	公开
2013-03-06	授权	授权

共 50 条

[1]

电子束直写设备和电子束直写方法 [P].

王诗男 ;

刘强 .

中国专利 :CN117766361A ,2024-03-26

[2]

电子束直写设备和电子束直写方法 [P].

王诗男 ;

刘强 .

中国专利 :CN117766360A ,2024-03-26

[3]

电子束直写器以及电子束直写系统 [P].

刘强 ;

王诗男 .

中国专利 :CN117850167A ,2024-04-09

[4]

电子束直写器以及电子束直写系统 [P].

刘强 ;

王诗男 .

中国专利 :CN117850167B ,2024-09-24

[5]

电子束直写设备 [P].

黄瑾 ;

叶文龙 ;

陈李松 ;

徐洪威 ;

张超 .

中国专利 :CN309536385S ,2025-10-10

[6]

用于电子束直写（EBDW）光刻的下方吸收或传导层 [P].

S·坦登 ;

Y·A·波罗多维斯基 ;

C·H·华莱士 ;

P·A·尼许斯 .

中国专利 :CN107004576A ,2017-08-01

[7]

基于电子束直写光刻技术的异质结热光伏电池 [P].

江霖霖 ;

彭新村 ;

邹继军 ;

邓文娟 ;

王玉 ;

刘思源 ;

钟潮燕 ;

陈雷庆 .

中国专利 :CN221466593U ,2024-08-02

[8]

用于高容量电子束光刻的方法 [P].

王宏钧 ;

林子钦 ;

林家吉 ;

郑年富 ;

陈政宏 ;

黄文俊 ;

刘如淦 .

中国专利 :CN103488042A ,2014-01-01

[9]

电子源的制造方法和电子束直写机 [P].

王诗男 .

中国专利 :CN119132906A ,2024-12-13

[10]

电子束光刻方法 [P].

贺晓彬 ;

孟令款 ;

丁明正 ;

刘艳松 .

中国专利 :CN103676492A ,2014-03-26

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