半导体装置、制造半导体装置的方法和电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110460504.8

申请日：

2011-12-31

公开(公告)号：

CN102623440A

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

赤松俊也

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L25065 H01L2348 H01L23498 H01L2160 H01L2150

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

杜诚;李春晖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101329746819 IPC(主分类):H01L 25/00 专利申请号:2011104605048 申请日:20111231
2021-12-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 25/00 申请日:20111231 授权公告日:20150520 终止日期:20201231
2015-05-20	授权	授权
2012-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置 [P].

酒井清久 .

中国专利 :CN109075157B ,2018-12-21

[2]

半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置 [P].

藤井宣年 ;

青柳健一 .

中国专利 :CN109360833A ,2019-02-19

[3]

半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置 [P].

藤井宣年 ;

青柳健一 .

中国专利 :CN104620385A ,2015-05-13

[4]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

舒恩·布尔 ;

松田吉雄 ;

江详烨 ;

金炳辰 ;

金吉江 ;

贝俊明 ;

李胜吴 ;

宋洋合 ;

中岛美希 ;

长泽和昌 ;

中村慎吾 ;

苏菲·奥尔森 ;

金进勇 .

中国专利 :CN114361125A ,2022-04-15

[5]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

松本纪久 .

中国专利 :CN109075082B ,2018-12-21

[6]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

矶部敦生 ;

山崎舜平 ;

小久保千穗 ;

田中幸一郎 ;

下村明久 ;

荒尾达也 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN101110437B ,2008-01-23

[7]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

高永范 ;

裴朱翰 ;

林成佑 ;

金云儿 .

:CN112259525B ,2025-02-28

[8]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

西田真 .

中国专利 :CN108630757A ,2018-10-09

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

濑古敏春 .

中国专利 :CN100390973C ,2005-10-19

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

高田隆 .

中国专利 :CN101494204A ,2009-07-29

← 1 2 3 4 5 →