半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811091131.X

申请日：

2013-06-11

公开(公告)号：

CN109360833A

公开(公告)日：

2019-02-19

发明(设计)人：

藤井宣年青柳健一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H04N5225

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张邦帅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20130611
2019-02-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置 [P].

藤井宣年 ;

青柳健一 .

中国专利 :CN104620385A ,2015-05-13

[2]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

三原竜善 .

中国专利 :CN108231561A ,2018-06-29

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

齐藤贵翁 ;

金子诚二 ;

神崎庸辅 ;

高丸泰 ;

井手启介 ;

松尾拓哉 .

中国专利 :CN106605295A ,2017-04-26

[4]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

宫田大嗣 ;

野口晴司 ;

吉田崇一 ;

田边広光 ;

河野宪司 ;

大仓康嗣 .

中国专利 :CN109314139B ,2019-02-05

[5]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

高田佳史 ;

原田繁 ;

竹若博基 .

中国专利 :CN1330405A ,2002-01-09

[6]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

松岛恒幸 ;

北原和弘 ;

儿玉奈绪子 .

中国专利 :CN115692332A ,2023-02-03

[7]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

西川睦雄 ;

藤本悠子 ;

松并和宏 .

中国专利 :CN104299960A ,2015-01-21

[8]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

国清辰也 .

中国专利 :CN1282104A ,2001-01-31

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

岩谷将伸 ;

内海诚 .

中国专利 :CN107204369A ,2017-09-26

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

星保幸 .

日本专利 :CN112219282B ,2024-12-03

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