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半导体装置和半导体装置的制造方法

被引：0
申请号：
CN202210575697.X
申请日：
2022-05-24
公开(公告)号：
CN115692332A
公开(公告)日：
2023-02-03
发明(设计)人：
松岛恒幸 北原和弘 儿玉奈绪子
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号：
H01L2331
IPC分类号：
H01L2300 H01L29739 H01L2156
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
周春燕;金玉兰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2023-02-03 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
长田昌也 .
中国专利 :CN108735697A ,2018-11-02
[2]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
长田昌也 .
中国专利 :CN107256849B ,2017-10-17
[3]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
长田昌也 .
中国专利 :CN102800651A ,2012-11-28
[4]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
星保幸 .
日本专利 :CN112219282B ,2024-12-03
[5]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
神谷晨平 ;
池田宗谦 ;
原田健司 .
日本专利 :CN119698011A ,2025-03-25
[6]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
星保幸 .
中国专利 :CN112219282A ,2021-01-12
[7]
半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法 [P]. 
洼内源宜 ;
谷口竣太郎 ;
若林孝昌 ;
吉村尚 ;
下泽慎 .
日本专利 :CN121058359A ,2025-12-02
[8]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
江间泰示 ;
水谷和宏 .
中国专利 :CN101479843B ,2009-07-08
[9]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
有金刚 ;
久本大 .
中国专利 :CN106486488A ,2017-03-08
[10]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
西田真 .
中国专利 :CN108630757A ,2018-10-09
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