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半导体装置和半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201210153640.7
申请日：
2012-05-17
公开(公告)号：
CN102800651A
公开(公告)日：
2012-11-28
发明(设计)人：
长田昌也
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L23538
IPC分类号：
H01L21768
H01L2166
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
彭久云
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-06-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582818938 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2012101536407 申请日:20120517 |
| 2018-11-16 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 23/538 申请公布日:20121128 |
| 2012-11-28 | 公开 | 公开 |