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半导体装置和半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710161464.4
申请日：
2012-05-17
公开(公告)号：
CN107256849B
公开(公告)日：
2017-10-17
发明(设计)人：
长田昌也
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2348
IPC分类号：
H01L27146
H01L2166
H01L21768
代理机构：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人：
陈桂香;曹正建
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2017-10-17 | 公开 | 公开 |
| 2017-11-14 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20120517 |
| 2019-11-15 | 授权 | 授权 |