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一种在有机材料表面制备金属膜层的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010054944.2
申请日
:
2020-01-17
公开(公告)号
:
CN111172511A
公开(公告)日
:
2020-05-19
发明(设计)人
:
李晓旻
张南
谢家伦
华佑南
申请人
:
申请人地址
:
215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区9栋507室
IPC主分类号
:
C23C1606
IPC分类号
:
C23C1640
C23C16455
代理机构
:
北京崇智专利代理事务所(普通合伙) 11605
代理人
:
赵丽娜
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-05-19
公开
公开
2020-06-12
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/06 申请日:20200117
2023-01-06
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/06 申请公布日:20200519
共 50 条
[1]
基于金属过渡层的石英基底表面金属膜层的制备方法
[P].
冯昊
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
冯昊
;
龚婷
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
龚婷
;
张王乐
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
张王乐
;
胡逸云
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
胡逸云
;
李丹
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
李丹
;
惠龙飞
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
惠龙飞
;
房佳斌
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
房佳斌
;
李建国
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
李建国
;
秦利军
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
秦利军
.
中国专利
:CN117467975A
,2024-01-30
[2]
一种不导电的塑料表面金属膜层的制备方法
[P].
王炜
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王炜
;
杨旭
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杨旭
;
闫军
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闫军
;
欧胤
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欧胤
.
中国专利
:CN1730719A
,2006-02-08
[3]
一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备
[P].
何中凯
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何中凯
;
荣延栋
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荣延栋
;
刘菲菲
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刘菲菲
;
夏威
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夏威
;
丁培军
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丁培军
.
中国专利
:CN109207942A
,2019-01-15
[4]
基于氧化物成核层的石英基底表面金属膜层的制备方法
[P].
冯昊
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
冯昊
;
龚婷
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
龚婷
;
秦利军
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
秦利军
;
张王乐
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
张王乐
;
李丹
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
李丹
;
胡逸云
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
胡逸云
;
李建国
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
李建国
;
房佳斌
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
房佳斌
;
惠龙飞
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
惠龙飞
.
中国专利
:CN117646189A
,2024-03-05
[5]
金属膜层的返工方法
[P].
徐衡
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
徐衡
.
中国专利
:CN117727616A
,2024-03-19
[6]
金属膜层的制造方法
[P].
谢贤皇
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谢贤皇
;
宋子文
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宋子文
.
中国专利
:CN101509117A
,2009-08-19
[7]
一种用于物理沉积金属膜层的有机复合材料
[P].
黄贤明
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黄贤明
;
周东波
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周东波
;
张先超
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张先超
;
阙举锟
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阙举锟
.
中国专利
:CN106380773B
,2017-02-08
[8]
一种金属膜层的沉积方法
[P].
陈峰
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陈峰
;
王晓兵
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王晓兵
.
中国专利
:CN115449870A
,2022-12-09
[9]
带氧化物过渡层的曲面石英基底表面金属膜层的制备方法
[P].
冯昊
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
冯昊
;
龚婷
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
龚婷
;
秦利军
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
秦利军
;
惠龙飞
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
惠龙飞
;
张王乐
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
张王乐
;
李建国
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
李建国
;
胡逸云
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
胡逸云
;
李丹
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
李丹
;
房佳斌
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
房佳斌
.
中国专利
:CN117144330B
,2025-11-11
[10]
一种金属膜层的刻蚀方法
[P].
门元帅
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机构:
美新半导体(绍兴)有限公司
美新半导体(绍兴)有限公司
门元帅
;
赵伟栋
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机构:
美新半导体(绍兴)有限公司
美新半导体(绍兴)有限公司
赵伟栋
;
陈奇
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机构:
美新半导体(绍兴)有限公司
美新半导体(绍兴)有限公司
陈奇
;
顾文彬
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机构:
美新半导体(绍兴)有限公司
美新半导体(绍兴)有限公司
顾文彬
.
中国专利
:CN120674318A
,2025-09-19
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