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基于金属过渡层的石英基底表面金属膜层的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311313243.6
申请日
:
2023-10-11
公开(公告)号
:
CN117467975A
公开(公告)日
:
2024-01-30
发明(设计)人
:
冯昊
龚婷
张王乐
胡逸云
李丹
惠龙飞
房佳斌
李建国
秦利军
申请人
:
西安近代化学研究所
申请人地址
:
710065 陕西省西安市雁塔区丈八东路168号
IPC主分类号
:
C23C16/455
IPC分类号
:
C23C16/02
C23C16/14
C23C16/18
C23C16/505
C23C16/52
B82Y30/00
B82Y40/00
G01C19/5691
G01C25/00
代理机构
:
西安恒泰知识产权代理事务所 61216
代理人
:
王孝明
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-02-20
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20231011
2024-01-30
公开
公开
共 50 条
[1]
基于氧化物成核层的石英基底表面金属膜层的制备方法
[P].
冯昊
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
冯昊
;
龚婷
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
龚婷
;
秦利军
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
秦利军
;
张王乐
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
张王乐
;
李丹
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
李丹
;
胡逸云
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
胡逸云
;
李建国
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
李建国
;
房佳斌
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
房佳斌
;
惠龙飞
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
惠龙飞
.
中国专利
:CN117646189A
,2024-03-05
[2]
带氧化物过渡层的曲面石英基底表面金属膜层的制备方法
[P].
冯昊
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
冯昊
;
龚婷
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
龚婷
;
秦利军
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
秦利军
;
惠龙飞
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
惠龙飞
;
张王乐
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
张王乐
;
李建国
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
李建国
;
胡逸云
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
胡逸云
;
李丹
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西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
李丹
;
房佳斌
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机构:
西安近代化学研究所
西安近代化学研究所
房佳斌
.
中国专利
:CN117144330B
,2025-11-11
[3]
金属膜层的返工方法
[P].
徐衡
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
徐衡
.
中国专利
:CN117727616A
,2024-03-19
[4]
金属膜层的制造方法
[P].
谢贤皇
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谢贤皇
;
宋子文
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宋子文
.
中国专利
:CN101509117A
,2009-08-19
[5]
金属膜层及堆叠膜层
[P].
邓伊玲
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邓伊玲
;
萧钲谚
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萧钲谚
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王博生
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王博生
;
黄正欣
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黄正欣
;
颜丕承
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颜丕承
.
中国专利
:CN206003846U
,2017-03-08
[6]
一种在有机材料表面制备金属膜层的方法
[P].
李晓旻
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李晓旻
;
张南
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张南
;
谢家伦
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谢家伦
;
华佑南
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华佑南
.
中国专利
:CN111172511A
,2020-05-19
[7]
基于聚合物材料去除基底表面金属膜层的方法及光刻方法
[P].
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机构:
罗先刚
;
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机构:
沈涛
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刘玲
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中国科学院光电技术研究所
中国科学院光电技术研究所
刘玲
;
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赵泽宇
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机构:
李夏楚秦
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张党龙
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中国科学院光电技术研究所
中国科学院光电技术研究所
张党龙
;
陈丽娟
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中国科学院光电技术研究所
中国科学院光电技术研究所
陈丽娟
.
中国专利
:CN115755541B
,2024-09-27
[8]
LED倒装晶元金属膜层
[P].
钱涛
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钱涛
.
中国专利
:CN202123748U
,2012-01-25
[9]
一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备
[P].
何中凯
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何中凯
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荣延栋
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荣延栋
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刘菲菲
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刘菲菲
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夏威
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夏威
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丁培军
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丁培军
.
中国专利
:CN109207942A
,2019-01-15
[10]
金属膜层生长质量的检测方法
[P].
张磊
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张磊
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谭秀文
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谭秀文
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许有超
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许有超
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李欢
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李欢
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陈诗翰
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陈诗翰
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中国专利
:CN114843200A
,2022-08-02
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