一种MEMS压力传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111540862.X

申请日：

2021-12-16

公开(公告)号：

CN114235232A

公开(公告)日：

2022-03-25

发明(设计)人：

张志强王博廖俊杰黄晓东

申请人：

申请人地址：

211102 江苏省南京市东南大学路2号

IPC主分类号：

G01L118

IPC分类号：

G01L906

代理机构：

南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249

代理人：

秦秋星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01L 1/18 申请日:20211216
2022-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MEMS压力传感器及其制备方法 [P].

张志强 ;

王博 ;

廖俊杰 ;

黄晓东 .

中国专利 :CN114235232B ,2024-05-31

[2]

一种MEMS压力传感器及其制备方法 [P].

张志强 ;

邹祉晗 ;

李良伟 ;

黄晓东 .

中国专利 :CN114235233A ,2022-03-25

[3]

一种MEMS压力传感器及其制备方法 [P].

张志强 ;

邹祉晗 ;

李良伟 ;

黄晓东 .

中国专利 :CN114235233B ,2024-01-05

[4]

一种压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113252232B ,2025-07-15

[5]

一种压力传感器及其制备方法 [P].

许克宇 ;

武斌 .

中国专利 :CN113390552A ,2021-09-14

[6]

一种压力传感器及其制备方法 [P].

许克宇 ;

武斌 .

中国专利 :CN113390552B ,2025-07-11

[7]

一种压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113252232A ,2021-08-13

[8]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952B ,2024-03-26

[9]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952A ,2020-08-28

[10]

一种MEMS压力传感器 [P].

刘同庆 .

中国专利 :CN211013319U ,2020-07-14

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