半导体器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210744998.0

申请日：

2022-06-27

公开(公告)号：

CN115148792A

公开(公告)日：

2022-10-04

发明(设计)人：

陈乘邱安平秦建勇姜伟

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L2908

IPC分类号：

H01L29732 H01L21331

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

孙宝海

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-10-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法 [P].

王文智 ;

王仲盛 ;

刘哲儒 .

中国专利 :CN119698069A ,2025-03-25

[2]

半导体器件及其制备方法 [P].

石卓 ;

鲁国 ;

李振文 .

中国专利 :CN118676001A ,2024-09-20

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

王文智 ;

王仲盛 ;

刘哲儒 .

中国专利 :CN119698069B ,2025-06-27

[4]

半导体器件及其制备方法 [P].

赵树峰 .

中国专利 :CN118281057A ,2024-07-02

[5]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

葛永晖 ;

马欢 ;

陈乐水 ;

吴志浩 ;

蔡历武 ;

董检阅 .

中国专利 :CN119521698A ,2025-02-25

[6]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

曹先雷 .

中国专利 :CN114792756A ,2022-07-26

[7]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

白杰 .

中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01

[8]

半导体器件及其制备方法 [P].

杨天应 ;

刘丽娟 .

中国专利 :CN113436982B ,2021-09-24

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN115483157A ,2022-12-16

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

王畅畅 .

中国专利 :CN118213411A ,2024-06-18

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