半导体器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410923627.8
申请日
2024-07-10
公开(公告)号
CN118676001A
公开(公告)日
2024-09-20
发明(设计)人
石卓 鲁国 李振文
申请人
粤芯半导体技术股份有限公司
申请人地址
510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L29/06 H01L29/78
代理机构
北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙) 11884
代理人
陈照辉
法律状态
公开
国省代码
广东省 广州市
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
王奇伟 ;
刘政红 ;
齐瑞生 ;
黄冠群 .
中国专利 :CN120711737A ,2025-09-26
[2]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
王文智 ;
王仲盛 ;
刘哲儒 .
中国专利 :CN119698069A ,2025-03-25
[3]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
陈乘 ;
邱安平 ;
秦建勇 ;
姜伟 .
中国专利 :CN115148792A ,2022-10-04
[4]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
王文智 ;
王仲盛 ;
刘哲儒 .
中国专利 :CN119698069B ,2025-06-27
[5]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
杨天应 .
中国专利 :CN113725283A ,2021-11-30
[6]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
宋富冉 ;
周儒领 ;
韩飘飘 ;
伯秀秀 ;
晋华东 .
中国专利 :CN115394844A ,2022-11-25
[7]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
葛永晖 ;
马欢 ;
陈乐水 ;
吴志浩 ;
蔡历武 ;
董检阅 .
中国专利 :CN119521698A ,2025-02-25
[8]
半导体器件结构及其制备方法 [P]. 
卢光远 ;
朱文武 ;
陈勇 ;
王黎 ;
陈华伦 .
中国专利 :CN121240493A ,2025-12-30
[9]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
杨天应 ;
许建华 .
中国专利 :CN114447105A ,2022-05-06
[10]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
曹先雷 .
中国专利 :CN114792756A ,2022-07-26