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功率半导体器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411377899.9
申请日：
2024-09-30
公开(公告)号：
CN119521698A
公开(公告)日：
2025-02-25
发明(设计)人：
葛永晖 马欢 陈乐水 吴志浩 蔡历武 董检阅
申请人：
京东方华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址：
215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/47 H10D62/17 C30B25/18 C30B29/40 C23C14/02 C23C14/58 C23C14/34 C23C14/06
代理机构：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人：
徐立
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-25 公开 公开
2025-03-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20240930
共 50 条
[1]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
陈琼 .
中国专利 :CN119050137B ,2025-03-14
[2]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
王群 ;
龚逸品 ;
李鹏 ;
王江波 .
中国专利 :CN114899223B ,2025-10-03
[3]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
王群 ;
龚逸品 ;
李鹏 ;
王江波 .
中国专利 :CN114899223A ,2022-08-12
[4]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
陈琼 .
中国专利 :CN119050137A ,2024-11-29
[5]
半导体器件及其制备方法、功率器件 [P]. 
李艳旭 .
中国专利 :CN119317133A ,2025-01-14
[6]
功率半导体器件的外延结构及其制备方法 [P]. 
王群 ;
郭炳磊 ;
葛永晖 ;
吕蒙普 ;
董彬忠 ;
李鹏 .
中国专利 :CN110459600B ,2019-11-15
[7]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
李寿全 ;
张彦飞 ;
赵哿 ;
刘梦新 ;
温霄霞 .
中国专利 :CN118507529A ,2024-08-16
[8]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
刘瑞 ;
李玲 ;
焦倩倩 ;
魏晓光 ;
王耀华 ;
唐新灵 ;
张语 ;
李立 .
中国专利 :CN119922929B ,2025-05-30
[9]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
周源 ;
王超 ;
胡磊 ;
邢岳 ;
杨棂鑫 ;
王振达 ;
罗胡瑞 .
中国专利 :CN114141879A ,2022-03-04
[10]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
郑忠庆 .
中国专利 :CN106783606A ,2017-05-31
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