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功率半导体器件及其制备方法

被引：0
申请号：
CN202210406650.0
申请日：
2022-04-18
公开(公告)号：
CN114899223A
公开(公告)日：
2022-08-12
发明(设计)人：
王群 龚逸品 李鹏 王江波
申请人：
申请人地址：
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
IPC主分类号：
H01L2920
IPC分类号：
H01L2945 H01L2947 H01L29778 H01L21335
代理机构：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人：
吕耀萍
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-08-12 公开 公开
共 50 条
[1]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
王群 ;
龚逸品 ;
李鹏 ;
王江波 .
中国专利 :CN114899223B ,2025-10-03
[2]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
陈琼 .
中国专利 :CN119050137B ,2025-03-14
[3]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
陈琼 .
中国专利 :CN119050137A ,2024-11-29
[4]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
葛永晖 ;
马欢 ;
陈乐水 ;
吴志浩 ;
蔡历武 ;
董检阅 .
中国专利 :CN119521698A ,2025-02-25
[5]
半导体器件及其制备方法、功率器件 [P]. 
李艳旭 .
中国专利 :CN119317133A ,2025-01-14
[6]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
李寿全 ;
张彦飞 ;
赵哿 ;
刘梦新 ;
温霄霞 .
中国专利 :CN118507529A ,2024-08-16
[7]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
刘瑞 ;
李玲 ;
焦倩倩 ;
魏晓光 ;
王耀华 ;
唐新灵 ;
张语 ;
李立 .
中国专利 :CN119922929B ,2025-05-30
[8]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
周源 ;
王超 ;
胡磊 ;
邢岳 ;
杨棂鑫 ;
王振达 ;
罗胡瑞 .
中国专利 :CN114141879A ,2022-03-04
[9]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
郑忠庆 .
中国专利 :CN106783606A ,2017-05-31
[10]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
周源 ;
王超 ;
胡磊 ;
邢岳 ;
杨棂鑫 ;
王振达 ;
罗胡瑞 .
中国专利 :CN114141879B ,2025-08-26
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