功率半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411523751.1

申请日：

2024-10-30

公开(公告)号：

CN119050137A

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

陈琼

申请人：

芯联集成电路制造股份有限公司

申请人地址：

312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号

IPC主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/08 H01L21/331

代理机构：

苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502

代理人：

李洋;刘鹤

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	授权	授权
2024-11-29	公开	公开
2024-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20241030

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

陈琼 .

中国专利 :CN119050137B ,2025-03-14

[2]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879A ,2022-03-04

[3]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879B ,2025-08-26

[4]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN114899223B ,2025-10-03

[5]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

王群 ;

龚逸品 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN114899223A ,2022-08-12

[6]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

李玲 ;

吴沛飞 ;

魏晓光 ;

孙宁飞 ;

张语 ;

刘瑞 ;

焦倩倩 ;

姬世宇 ;

王凝一 ;

霍新宇 .

中国专利 :CN118588748B ,2025-05-27

[7]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

葛永晖 ;

马欢 ;

陈乐水 ;

吴志浩 ;

蔡历武 ;

董检阅 .

中国专利 :CN119521698A ,2025-02-25

[8]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

李玲 ;

吴沛飞 ;

魏晓光 ;

孙宁飞 ;

张语 ;

刘瑞 ;

焦倩倩 ;

姬世宇 ;

王凝一 ;

霍新宇 .

中国专利 :CN118588748A ,2024-09-03

[9]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

T·T·P·法姆 ;

朴金硕 ;

A·康斯坦丁诺夫 ;

T·奈尔 .

美国专利 :CN110797260B ,2024-09-13

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

金台勋 .

中国专利 :CN1094658C ,1997-11-12

← 1 2 3 4 5 →