功率半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410739913.9

申请日：

2024-06-07

公开(公告)号：

CN118588748B

公开(公告)日：

2025-05-27

发明(设计)人：

李玲吴沛飞魏晓光孙宁飞张语刘瑞焦倩倩姬世宇王凝一霍新宇

申请人：

北京怀柔实验室

申请人地址：

101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号

IPC主分类号：

H10D18/60

IPC分类号：

H10D18/01 H10D64/27 H10D64/01

代理机构：

北京智专天权知识产权代理有限公司 16248

代理人：

杜秋雨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-03	公开	公开
2025-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/744申请日:20240607
2025-05-27	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

李玲 ;

吴沛飞 ;

魏晓光 ;

孙宁飞 ;

张语 ;

刘瑞 ;

焦倩倩 ;

姬世宇 ;

王凝一 ;

霍新宇 .

中国专利 :CN118588748A ,2024-09-03

[2]

功率半导体器件及其制备工艺 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113130650B ,2021-07-16

[3]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879A ,2022-03-04

[4]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

周源 ;

王超 ;

胡磊 ;

邢岳 ;

杨棂鑫 ;

王振达 ;

罗胡瑞 .

中国专利 :CN114141879B ,2025-08-26

[5]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

陈琼 .

中国专利 :CN119050137B ,2025-03-14

[6]

功率半导体器件及其制备方法 [P].

陈琼 .

中国专利 :CN119050137A ,2024-11-29

[7]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

T·T·P·法姆 ;

朴金硕 ;

A·康斯坦丁诺夫 ;

T·奈尔 .

美国专利 :CN110797260B ,2024-09-13

[8]

功率半导体器件终端、终端的制备方法及功率半导体器件 [P].

高明超 ;

金锐 ;

王耀华 .

中国专利 :CN113725293A ,2021-11-30

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

李述洲 ;

孙永生 ;

万欣 ;

晋虎 ;

高良 .

中国专利 :CN109786465B ,2019-05-21

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

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