功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97111663.6

申请日：

1997-03-15

公开(公告)号：

CN1094658C

公开(公告)日：

1997-11-12

发明(设计)人：

金台勋

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29744

IPC分类号：

H01L21332

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

杨梧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-11-20	授权	授权
1997-10-22	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1997-11-12	公开	公开
2016-05-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101659962177 IPC(主分类):H01L 29/744 专利号:ZL971116636 申请日:19970315 授权公告日:20021120 终止日期:20150315
2002-01-23	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:三星电子株式会社变更后权利人:快捷韩国半导体有限公司登记生效日:20011130

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

金锐 ;

崔磊 ;

吴郁 ;

何紫东 ;

潘艳 ;

赵岩 ;

温家良 ;

徐向前 ;

高明超 ;

冷国庆 ;

刘江 ;

赵哿 ;

王耀华 ;

董少华 .

中国专利 :CN108110040A ,2018-06-01

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郑玉宁 ;

张枫 .

中国专利 :CN104347693A ,2015-02-11

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

顾悦吉 ;

葛俊山 ;

孙文良 ;

陈果 .

中国专利 :CN108321191B ,2024-07-19

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266B ,2024-02-23

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

金台勋 .

中国专利 :CN1156328A ,1997-08-06

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金信儿 ;

金台烨 .

中国专利 :CN113725298A ,2021-11-30

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