氮化硅蚀刻组合物及方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980073936.8
申请日
2019-11-12
公开(公告)号
CN112996881A
公开(公告)日
2021-06-18
发明(设计)人
S·M·比洛德 洪性辰 吴幸臻 杨闵杰 E·I·库珀
申请人
申请人地址
美国马萨诸塞州
IPC主分类号
C09K1306
IPC分类号
C09K1308 H01L21306 H01L21311
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
李婷
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化硅蚀刻组合物和方法 [P]. 
S·M·比洛德 ;
C·叶文埃斯 .
美国专利 :CN119452061A ,2025-02-14
[2]
用于选择性蚀刻氮化硅的组合物和方法 [P]. 
余珠姬 ;
洪性辰 ;
金元来 ;
朴永勋 ;
姜娟熹 ;
郑珍煜 .
美国专利 :CN120835921A ,2025-10-24
[3]
用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法 [P]. 
E·库珀 ;
S·比洛迪奥 ;
戴雯华 ;
杨闵杰 ;
涂胜宏 ;
吴幸臻 ;
金西恩 ;
洪性辰 .
中国专利 :CN111108176B ,2020-05-05
[4]
氮化硅膜蚀刻组合物 [P]. 
金东铉 ;
朴贤宇 ;
李斗元 ;
曺长佑 ;
李明镐 ;
宋明根 .
中国专利 :CN110628435B ,2019-12-31
[5]
氮化硅膜蚀刻组合物 [P]. 
李昇勋 ;
李昇炫 ;
金胜焕 ;
陈昇吾 .
中国专利 :CN113518817B ,2021-10-19
[6]
用于高选择性氮化硅蚀刻的改良调配物 [P]. 
D·怀特 ;
D·凯珀 ;
S·迪梅奥 .
中国专利 :CN114269884A ,2022-04-01
[7]
氮化硅膜的蚀刻组合物 [P]. 
李锡浩 ;
宋定桓 ;
全成植 ;
赵诚一 ;
金炳卓 ;
韩挪 ;
林娥铉 ;
李浚宇 ;
李鍲根 ;
金俊源 .
中国专利 :CN109913221A ,2019-06-21
[8]
氮化硅膜蚀刻用组合物 [P]. 
金东铉 ;
朴贤雨 ;
南硕泫 ;
金南希 ;
曺旻永 ;
吴泰旭 ;
金周焕 ;
李明镐 ;
宋明根 ;
吴垠锡 ;
姜莹美 .
韩国专利 :CN120041207A ,2025-05-27
[9]
氮化硅蚀刻液组成物 [P]. 
大和田拓央 ;
吉田勇喜 ;
持田耕平 ;
仓本蕗人 .
日本专利 :CN118435329A ,2024-08-02
[10]
用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法 [P]. 
崔正敏 ;
张俊英 ;
金贤贞 ;
文炯朗 ;
李智惠 ;
韩权愚 ;
黄基煜 .
中国专利 :CN112680228B ,2021-04-20