用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880058122.2

申请日：

2018-09-06

公开(公告)号：

CN111108176B

公开(公告)日：

2020-05-05

发明(设计)人：

E·库珀 S·比洛迪奥戴雯华杨闵杰涂胜宏吴幸臻金西恩洪性辰

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C09K1308

IPC分类号：

C09K1306

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

李婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-05	公开	公开
2021-10-08	授权	授权
2020-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/08 申请日:20180906

共 50 条

[1]

用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法 [P].

E·库珀 ;

S·比洛迪奥 ;

戴雯华 ;

杨闵杰 ;

涂胜宏 ;

吴幸臻 ;

金西恩 ;

洪性辰 .

中国专利 :CN113817471B ,2021-12-21

[2]

氮化硅蚀刻组合物及方法 [P].

S·M·比洛德 ;

洪性辰 ;

吴幸臻 ;

杨闵杰 ;

E·I·库珀 .

中国专利 :CN112996881A ,2021-06-18

[3]

氮化硅蚀刻组合物和方法 [P].

S·M·比洛德 ;

C·叶文埃斯 .

美国专利 :CN119452061A ,2025-02-14

[4]

用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法 [P].

崔正敏 ;

张俊英 ;

金贤贞 ;

文炯朗 ;

李智惠 ;

韩权愚 ;

黄基煜 .

中国专利 :CN112680228B ,2021-04-20

[5]

用于湿法蚀刻氮化硅的组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

林娥铉 ;

李浚宇 .

中国专利 :CN110551503A ,2019-12-10

[6]

用于选择性蚀刻氮化硅的组合物和方法 [P].

余珠姬 ;

洪性辰 ;

金元来 ;

朴永勋 ;

姜娟熹 ;

郑珍煜 .

美国专利 :CN120835921A ,2025-10-24

[7]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

李斗元 ;

曺长佑 ;

李明镐 ;

宋明根 .

中国专利 :CN110628435B ,2019-12-31

[8]

氮化硅膜蚀刻组合物 [P].

李昇勋 ;

李昇炫 ;

金胜焕 ;

陈昇吾 .

中国专利 :CN113518817B ,2021-10-19

[9]

氮化硅膜的蚀刻组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

韩挪 ;

林娥铉 ;

李浚宇 ;

李鍲根 ;

金俊源 .

中国专利 :CN109913221A ,2019-06-21

[10]

氮化硅膜蚀刻组合物及利用其的方法 [P].

金东铉 ;

朴贤宇 ;

曹长佑 ;

金泰镐 ;

李明护 ;

宋明根 .

中国专利 :CN110872516B ,2020-03-10

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