一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210369321.X
申请日
2012-09-27
公开(公告)号
CN102903764A
公开(公告)日
2013-01-30
发明(设计)人
侯泽荣 黄仑 卢春晖 王金伟 崔梅兰
申请人
申请人地址
214203 江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路6号
IPC主分类号
H01L310216
IPC分类号
H01L3118 C23C1634
代理机构
南京天华专利代理有限责任公司 32218
代理人
夏平
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜结构及其制备方法 [P]. 
宋标 ;
董鹏 ;
高艳飞 ;
畅西林 ;
王永冈 .
中国专利 :CN106449782A ,2017-02-22
[2]
一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜 [P]. 
郭进 ;
刘文峰 ;
任哲 ;
刘海平 ;
罗亮 .
中国专利 :CN202217668U ,2012-05-09
[3]
一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法 [P]. 
郭进 ;
刘文峰 ;
任哲 ;
刘海平 ;
罗亮 .
中国专利 :CN102339872B ,2012-02-01
[4]
一种晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜及其制备方法 [P]. 
傅强 ;
董道宴 ;
张崇超 ;
刘代军 ;
陈红玉 ;
匡英 ;
汪双 .
中国专利 :CN104332505A ,2015-02-04
[5]
一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜及其制备方法 [P]. 
张晨 ;
张森林 .
中国专利 :CN103000706A ,2013-03-27
[6]
一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN102916080A ,2013-02-06
[7]
一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜的制备方法 [P]. 
侯泽荣 ;
黄仑 ;
王金伟 ;
史孟杰 ;
崔梅兰 .
中国专利 :CN102931281A ,2013-02-13
[8]
一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜及其制备方法 [P]. 
王月勤 ;
王连红 .
中国专利 :CN102222704A ,2011-10-19
[9]
同时形成晶体硅太阳能电池PN结和氮化硅减反射膜的方法 [P]. 
万青 ;
黄晋 ;
龚骏 ;
李莉 .
中国专利 :CN102097534A ,2011-06-15
[10]
一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法 [P]. 
张一波 ;
金重玄 .
中国专利 :CN104900722A ,2015-09-09