晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610959170.1

申请日：

2016-11-03

公开(公告)号：

CN106449782A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

宋标董鹏高艳飞畅西林王永冈

申请人：

申请人地址：

710100 陕西省西安市航天基地东长安街589号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

上海硕力知识产权代理事务所 31251

代理人：

郭桂峰

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请公布日:20170222
2017-02-22	公开	公开
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708622810 IPC(主分类):H01L 31/0216 专利申请号:2016109591701 申请日:20161103

共 50 条

[1]

一种晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜及其制备方法 [P].

傅强 ;

董道宴 ;

张崇超 ;

刘代军 ;

陈红玉 ;

匡英 ;

汪双 .

中国专利 :CN104332505A ,2015-02-04

[2]

一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 [P].

侯泽荣 ;

黄仑 ;

卢春晖 ;

王金伟 ;

崔梅兰 .

中国专利 :CN102903764A ,2013-01-30

[3]

一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法 [P].

郭进 ;

刘文峰 ;

任哲 ;

刘海平 ;

罗亮 .

中国专利 :CN102339872B ,2012-02-01

[4]

一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜 [P].

郭进 ;

刘文峰 ;

任哲 ;

刘海平 ;

罗亮 .

中国专利 :CN202217668U ,2012-05-09

[5]

同时形成晶体硅太阳能电池PN结和氮化硅减反射膜的方法 [P].

万青 ;

黄晋 ;

龚骏 ;

李莉 .

中国专利 :CN102097534A ,2011-06-15

[6]

晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法 [P].

刘贤金 ;

周大良 ;

周小荣 .

中国专利 :CN101834225A ,2010-09-15

[7]

晶体硅太阳能电池片减反射膜制备工艺 [P].

段慰 ;

方为仁 ;

蒋冬 ;

田杰成 ;

余俊浒 .

中国专利 :CN102306680A ,2012-01-04

[8]

一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜 [P].

王月勤 ;

刘粉霞 .

中国专利 :CN202268353U ,2012-06-06

[9]

一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜及其制备方法 [P].

张晨 ;

张森林 .

中国专利 :CN103000706A ,2013-03-27

[10]

一种晶体硅太阳能电池四层减反射膜及其制备方法 [P].

刘粉霞 .

中国专利 :CN102361037A ,2012-02-22

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