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一种晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201410572091.6
申请日
:
2014-12-01
公开(公告)号
:
CN104332505A
公开(公告)日
:
2015-02-04
发明(设计)人
:
傅强
董道宴
张崇超
刘代军
陈红玉
匡英
汪双
申请人
:
申请人地址
:
443300 湖北省宜昌市宜都市红花套镇光伏产业园区
IPC主分类号
:
H01L310216
IPC分类号
:
H01L3118
B32B514
B32B900
C23C1634
C23C16503
C23C1652
代理机构
:
宜昌市三峡专利事务所 42103
代理人
:
蒋悦
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-03-11
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101600389460 IPC(主分类):H01L 31/0216 专利申请号:2014105720916 申请日:20141201
2015-02-04
公开
公开
2016-08-31
授权
授权
共 50 条
[1]
晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜结构及其制备方法
[P].
宋标
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宋标
;
董鹏
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董鹏
;
高艳飞
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高艳飞
;
畅西林
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畅西林
;
王永冈
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王永冈
.
中国专利
:CN106449782A
,2017-02-22
[2]
一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜
[P].
郭进
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郭进
;
刘文峰
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刘文峰
;
任哲
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任哲
;
刘海平
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刘海平
;
罗亮
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罗亮
.
中国专利
:CN202217668U
,2012-05-09
[3]
一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法
[P].
郭进
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郭进
;
刘文峰
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刘文峰
;
任哲
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任哲
;
刘海平
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刘海平
;
罗亮
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罗亮
.
中国专利
:CN102339872B
,2012-02-01
[4]
一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法
[P].
侯泽荣
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侯泽荣
;
黄仑
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黄仑
;
卢春晖
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卢春晖
;
王金伟
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王金伟
;
崔梅兰
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崔梅兰
.
中国专利
:CN102903764A
,2013-01-30
[5]
同时形成晶体硅太阳能电池PN结和氮化硅减反射膜的方法
[P].
万青
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万青
;
黄晋
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黄晋
;
龚骏
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龚骏
;
李莉
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李莉
.
中国专利
:CN102097534A
,2011-06-15
[6]
晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法
[P].
刘贤金
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刘贤金
;
周大良
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周大良
;
周小荣
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周小荣
.
中国专利
:CN101834225A
,2010-09-15
[7]
一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜
[P].
王月勤
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王月勤
;
刘粉霞
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刘粉霞
.
中国专利
:CN202268353U
,2012-06-06
[8]
一种晶体硅太阳能电池减反射膜
[P].
张晨
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张晨
;
张森林
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张森林
.
中国专利
:CN103000705A
,2013-03-27
[9]
晶体硅太阳能电池片减反射膜制备工艺
[P].
段慰
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段慰
;
方为仁
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方为仁
;
蒋冬
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蒋冬
;
田杰成
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田杰成
;
余俊浒
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余俊浒
.
中国专利
:CN102306680A
,2012-01-04
[10]
一种晶体硅太阳能电池减反射膜及其制备工艺
[P].
郭强
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郭强
;
王立建
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王立建
.
中国专利
:CN104393061B
,2015-03-04
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