半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310400070.1

申请日：

2013-09-05

公开(公告)号：

CN103681691A

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

砂村润金子贵昭林喜宏

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L29423 H01L2177

代理机构：

广州三环专利代理有限公司 44202

代理人：

温旭;郝传鑫

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724272716 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2013104000701 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2020-08-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/822 申请日:20130905 授权公告日:20170503 终止日期:20190905
2014-03-26	公开	公开
2017-05-03	授权	授权
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601134327 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2013104000701 申请日:20130905

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

砂村润 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN107256846A ,2017-10-17

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

高野和丰 .

中国专利 :CN102024812A ,2011-04-20

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

空田晴之 .

中国专利 :CN102959711A ,2013-03-06

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

牧田直树 .

中国专利 :CN101663758B ,2010-03-03

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

芹泽晴彦 ;

千千松达夫 .

中国专利 :CN115552604A ,2022-12-30

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

山本芳树 ;

槙山秀树 ;

岩松俊明 ;

角村贵昭 .

中国专利 :CN103579348B ,2014-02-12

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

古野诚 .

中国专利 :CN101369604A ,2009-02-18

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

村上伦章 ;

冈彻 .

中国专利 :CN105304712B ,2016-02-03

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

新居英明 .

中国专利 :CN1521855A ,2004-08-18

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

牧田直树 .

中国专利 :CN1510762A ,2004-07-07

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