等离子体蚀刻室和等离子体蚀刻的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780034373.2

申请日：

2017-04-06

公开(公告)号：

CN109196619B

公开(公告)日：

2019-01-11

发明(设计)人：

F.巴隆 M.埃加扎里 B.库缇斯

申请人：

申请人地址：

瑞士特吕巴赫

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

C23C16455

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

孙鹏;刘春元

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-26	授权	授权
2019-01-11	公开	公开
2019-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20170406

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

穆罕默德·菲依鲁斯·宾布迪曼 ;

辻本宏 .

中国专利 :CN111801776A ,2020-10-20

[2]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

前川薫 ;

佐藤渚 ;

大野久美子 ;

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

中国专利 :CN111527591A ,2020-08-11

[3]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

北垣内圭二 ;

小林史弥 ;

户村幕树 .

中国专利 :CN110729187A ,2020-01-24

[4]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

后平拓 ;

箕浦佑也 .

中国专利 :CN110164764A ,2019-08-23

[5]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

中国专利 :CN111755357A ,2020-10-09

[6]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

舆石公 ;

小林典之 ;

米田滋 ;

花轮健一 ;

田原慈 ;

杉本胜 .

中国专利 :CN101523569A ,2009-09-02

[7]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

大矢欣伸 ;

冈本晋 ;

持木宏政 .

中国专利 :CN101800161A ,2010-08-11

[8]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

宇田秀一郎 ;

平山祐介 .

中国专利 :CN101521158B ,2009-09-02

[9]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

广瀬润 ;

上田雄大 .

中国专利 :CN110010439A ,2019-07-12

[10]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

松山昇一郎 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN101609799B ,2009-12-23

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