反应磁控管溅射装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96180323.1

申请日：

1996-06-10

公开(公告)号：

CN1222204A

公开(公告)日：

1999-07-07

发明(设计)人：

迈克尔·A·斯科比

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408 H01J3734

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

吴明华

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
1999-08-18	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1999-07-07	公开	公开

共 50 条

[1]

磁控管溅射方法以及磁控管溅射装置 [P].

太田淳 ;

田口信一郎 ;

杉浦功 ;

谷典明 ;

新井真 ;

清田淳也 .

中国专利 :CN1965101A ,2007-05-16

[2]

磁控管溅射装置 [P].

横山政秀 ;

早田博 .

中国专利 :CN1067118C ,1996-04-17

[3]

磁控管溅射设备 [P].

H.罗尔曼 ;

M.杜布斯 .

中国专利 :CN103109344A ,2013-05-15

[4]

磁控管溅射 [P].

史蒂文·罗伯特·伯吉斯 ;

卡斯藤·乔更斯 .

中国专利 :CN1436361A ,2003-08-13

[5]

磁控管阴极和包括这种磁控管阴极的磁控管溅射装置 [P].

瑟吉·Y·纳瓦拉 ;

尤里·N·托尔马彻夫 ;

马东俊 ;

金泰完 .

中国专利 :CN1525519A ,2004-09-01

[6]

磁控管以及磁控管溅射设备 [P].

李宰承 ;

西门瑄 ;

吴永泽 ;

刘云锺 .

中国专利 :CN103882394B ,2014-06-25

[7]

用于磁控管溅射的方法和装置 [P].

H·罗尔曼 ;

V·法鲁博克劳迪乌 ;

M·布莱斯 .

中国专利 :CN111699543A ,2020-09-22

[8]

用于磁控管溅射的方法和装置 [P].

H·罗尔曼 ;

V·法鲁博克劳迪乌 ;

M·布莱斯 .

:CN111699543B ,2024-12-13

[9]

磁控管溅射用磁体构件和阴极单元以及磁控管溅射装置 [P].

近藤隆彦 ;

堀崇展 ;

岩崎安邦 ;

米山信夫 .

中国专利 :CN101080510B ,2007-11-28

[10]

溅射磁控管装置 [P].

许生 ;

徐升东 ;

庄炳河 ;

郭杏元 .

中国专利 :CN101877300B ,2010-11-03

← 1 2 3 4 5 →