用于磁控管溅射的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880089278.7

申请日：

2018-04-16

公开(公告)号：

CN111699543A

公开(公告)日：

2020-09-22

发明(设计)人：

H·罗尔曼 V·法鲁博克劳迪乌 M·布莱斯

申请人：

申请人地址：

瑞士特吕巴赫

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

C23C1435 H01J3734

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李雪娜;申屠伟进

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-22	公开	公开
2021-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20180416

共 50 条

[1]

用于磁控管溅射的方法和装置 [P].

H·罗尔曼 ;

V·法鲁博克劳迪乌 ;

M·布莱斯 .

:CN111699543B ,2024-12-13

[2]

磁控管溅射方法以及磁控管溅射装置 [P].

太田淳 ;

田口信一郎 ;

杉浦功 ;

谷典明 ;

新井真 ;

清田淳也 .

中国专利 :CN1965101A ,2007-05-16

[3]

磁控管阴极和包括这种磁控管阴极的磁控管溅射装置 [P].

瑟吉·Y·纳瓦拉 ;

尤里·N·托尔马彻夫 ;

马东俊 ;

金泰完 .

中国专利 :CN1525519A ,2004-09-01

[4]

反应磁控管溅射装置和方法 [P].

迈克尔·A·斯科比 .

中国专利 :CN1222204A ,1999-07-07

[5]

磁控管溅射装置 [P].

横山政秀 ;

早田博 .

中国专利 :CN1067118C ,1996-04-17

[6]

用于单磁控管溅射的系统和方法 [P].

D·克里斯蒂 ;

S·B·拉森 .

中国专利 :CN107002231B ,2017-08-01

[7]

磁控管溅射 [P].

史蒂文·罗伯特·伯吉斯 ;

卡斯藤·乔更斯 .

中国专利 :CN1436361A ,2003-08-13

[8]

磁控管以及磁控管溅射设备 [P].

李宰承 ;

西门瑄 ;

吴永泽 ;

刘云锺 .

中国专利 :CN103882394B ,2014-06-25

[9]

磁控管溅射用磁体构件和阴极单元以及磁控管溅射装置 [P].

近藤隆彦 ;

堀崇展 ;

岩崎安邦 ;

米山信夫 .

中国专利 :CN101080510B ,2007-11-28

[10]

磁控管溅射电极与应用磁控管溅射电极的溅射装置 [P].

李尚浩 ;

小松孝 ;

中村肇 ;

新井真 ;

清田淳也 ;

谷典明 .

中国专利 :CN1978698B ,2007-06-13

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