金属氧化物半导体薄膜、结构和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680015722.8

申请日：

2006-03-28

公开(公告)号：

CN101553930A

公开(公告)日：

2009-10-07

发明(设计)人：

阳瑞·刘泰-塞克·李亨利·W.·怀特

申请人：

申请人地址：

美国密苏里州

IPC主分类号：

H01L2908

IPC分类号：

H01L2918 H01L2910 H01L2912

代理机构：

北京万慧达知识产权代理有限公司

代理人：

葛强;张一军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-11-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101223909440 IPC(主分类):H01L 29/08 专利申请号:2006800157228 公开日:20091007
2009-10-07	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体元件和半导体结构 [P].

黄健朝 ;

杨富量 .

中国专利 :CN101087001A ,2007-12-12

[2]

半导体器件和氧化物半导体薄膜 [P].

李光熙 ;

朴镇成 ;

金尚昱 ;

车映官 ;

柳盛还 ;

金慧美 .

韩国专利 :CN120076378A ,2025-05-30

[3]

半导体结构和形成金属氧化物半导体结构的方法 [P].

格伦·A·比利 ;

米切尔·L·斯廷 .

中国专利 :CN100461463C ,2007-06-13

[4]

氧化物半导体薄膜 [P].

大竹文人 ;

小林大士 ;

上野充 ;

和田优 ;

松本浩一 .

中国专利 :CN111373514A ,2020-07-03

[5]

具有金属氧化物半导体结构的半导体装置 [P].

李奎沃 ;

俞在炫 ;

金贞敬 ;

宋周泫 ;

赵秀娟 ;

洪元杓 .

中国专利 :CN112825334A ,2021-05-21

[6]

具有金属氧化物半导体结构的半导体装置 [P].

李奎沃 ;

俞在炫 ;

金贞敬 ;

宋周泫 ;

赵秀娟 ;

洪元杓 .

韩国专利 :CN112825334B ,2025-07-11

[7]

氧化物半导体薄膜检测装置及氧化物半导体薄膜检测方法 [P].

朴瑨哲 ;

文相渊 .

中国专利 :CN111141784B ,2020-05-12

[8]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[9]

金属氧化物半导体电容结构 [P].

陈品岑 ;

周玲君 ;

李坤宪 .

中国专利 :CN119698003A ,2025-03-25

[10]

金属氧化物半导体电路结构 [P].

方振宇 ;

陈维忠 ;

李深地 ;

余建朋 ;

王一诚 .

中国专利 :CN1783510A ,2006-06-07

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