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一种等离子刻蚀装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201821987651.4
申请日
:
2018-11-29
公开(公告)号
:
CN209045484U
公开(公告)日
:
2019-06-28
发明(设计)人
:
崔岸
郝裕兴
张睿
陈宠
刘芳芳
刘天赐
黄显晴
杨伟丽
徐晓倩
申请人
:
申请人地址
:
130000 吉林省长春市人民大街5988号
IPC主分类号
:
H01J3732
IPC分类号
:
H01J3702
代理机构
:
北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465
代理人
:
李冉
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-06-28
授权
授权
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[1]
一种等离子刻蚀装置
[P].
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崔岸
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郝裕兴
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张睿
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陈宠
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刘芳芳
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刘天赐
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黄显晴
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杨伟丽
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机构:
徐晓倩
.
中国专利
:CN109461641B
,2024-03-19
[2]
一种等离子刻蚀装置
[P].
崔岸
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崔岸
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郝裕兴
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郝裕兴
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张睿
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陈宠
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刘芳芳
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刘芳芳
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刘天赐
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刘天赐
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黄显晴
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杨伟丽
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徐晓倩
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徐晓倩
.
中国专利
:CN109461641A
,2019-03-12
[3]
等离子刻蚀装置
[P].
赵亮亮
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赵亮亮
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姚森
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谢飞
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谢飞
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邵克坚
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邵克坚
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王猛
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王猛
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张文杰
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张文杰
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朱宏斌
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朱宏斌
.
中国专利
:CN214099573U
,2021-08-31
[4]
等离子刻蚀装置
[P].
谢飞
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姚森
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姚森
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赵亮亮
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赵亮亮
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邵克坚
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邵克坚
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王猛
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朱宏斌
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朱宏斌
.
中国专利
:CN214099574U
,2021-08-31
[5]
等离子刻蚀装置
[P].
叶璘珂
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上海华力微电子有限公司
叶璘珂
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陈诚
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陈诚
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张德伟
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张德伟
;
荆泉
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上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
荆泉
.
中国专利
:CN222190625U
,2024-12-17
[6]
等离子刻蚀装置
[P].
姚森
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姚森
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谢飞
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谢飞
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张文杰
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张文杰
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邵克坚
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王猛
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赵亮亮
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朱宏斌
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朱宏斌
.
中国专利
:CN214099572U
,2021-08-31
[7]
一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置
[P].
李宛泽
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李宛泽
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刘祖宏
.
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:CN106504971B
,2017-03-15
[8]
一种刻蚀装置和等离子刻蚀系统
[P].
李浩
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江苏鲁汶仪器股份有限公司
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刘海洋
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胡冬冬
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许开东
.
中国专利
:CN221079928U
,2024-06-04
[9]
等离子刻蚀装置及等离子刻蚀方法
[P].
张朋兵
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上海邦芯半导体科技有限公司
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张朋兵
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涂乐义
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唐乐
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唐乐
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顾橙蕾
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顾橙蕾
.
中国专利
:CN119028797B
,2024-12-31
[10]
等离子刻蚀装置及等离子刻蚀方法
[P].
张朋兵
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张朋兵
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王兆祥
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王兆祥
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梁洁
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梁洁
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涂乐义
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涂乐义
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唐乐
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顾橙蕾
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顾橙蕾
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中国专利
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,2024-11-26
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