电沉积金-碳化硅复合镀层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN85100021.5

申请日：

1985-04-01

公开(公告)号：

CN85100021A

公开(公告)日：

1986-01-10

发明(设计)人：

郭鹤桐王兆勇邱训高

申请人：

申请人地址：

天津市南开区七里台

IPC主分类号：

C25D1500

IPC分类号：

C25D348 H01H102

代理机构：

天津大学专利代理事务所

代理人：

张宏祥;曲远方

法律状态：

审定

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1989-06-14	审定	审定
1989-04-12	实质审查请求	实质审查请求
1990-04-04	授权	授权
1991-08-07	专利权的终止未缴纳年费专利权终止	专利权的终止未缴纳年费专利权终止

共 50 条

[1]

电沉积制备镍钴碳化硅复合镀层的方法 [P].

阚洪敏 ;

孟媛媛 ;

王晓阳 ;

龙海波 ;

孔令明 ;

陈硕 .

中国专利 :CN112981477A ,2021-06-18

[2]

一种用于碳化硅外延设备的互锁模块及碳化硅外延设备 [P].

刘中良 ;

费戴扬 ;

向阳 .

中国专利 :CN221566372U ,2024-08-20

[3]

电沉积耐磨减摩银基复合镀层 [P].

郭鹤桐 ;

覃奇贤 ;

陈一新 .

中国专利 :CN85100022A ,1986-01-10

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

日吉透 .

中国专利 :CN105304713A ,2016-02-03

[5]

碳化硅半导体器件 [P].

原田真 ;

玉祖秀人 ;

畑山智亮 .

中国专利 :CN102171827A ,2011-08-31

[6]

碳化硅的制造方法 [P].

久保田芳宏 ;

大崎浩美 ;

望月正裕 .

中国专利 :CN102482102A ,2012-05-30

[7]

内衬反应烧结碳化硅陶瓷复合管 [P].

王明峰 ;

亓锡云 ;

姜刚 ;

石威 .

中国专利 :CN204628968U ,2015-09-09

[8]

一种碳化硅模具 [P].

马红彬 ;

李乐乐 ;

陈志伟 ;

郭赛 .

中国专利 :CN202685362U ,2013-01-23

[9]

一种金属液体与碳化硅复合方法 [P].

张学军 ;

张一丰 .

中国专利 :CN111375744A ,2020-07-07

[10]

降低碳化硅电阻的背面欧姆接触中间体及碳化硅器件 [P].

李俊 .

中国专利 :CN220963240U ,2024-05-14

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