电沉积制备镍钴碳化硅复合镀层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110270066.2

申请日：

2021-03-12

公开(公告)号：

CN112981477A

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

阚洪敏孟媛媛王晓阳龙海波孔令明陈硕

申请人：

申请人地址：

110000 辽宁省沈阳市大东区望花南街21号

IPC主分类号：

C25D356

IPC分类号：

C25D534 C25D1500

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 3/56 申请日:20210312
2021-06-18	公开	公开

共 50 条

[1]

电沉积金-碳化硅复合镀层 [P].

郭鹤桐 ;

王兆勇 ;

邱训高 .

中国专利 :CN85100021A ,1986-01-10

[2]

一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法 [P].

沈学如 .

中国专利 :CN108796565A ,2018-11-13

[3]

金属表面制备超疏水镍/碳化硅复合镀层的方法 [P].

沈理达 ;

徐铭阳 ;

王开 .

中国专利 :CN109518238A ,2019-03-26

[4]

一种Zr颗粒改进的电沉积纳米复合镀层及其制备方法 [P].

姜传海 ;

蔡飞 ;

赵远涛 ;

付鹏 ;

张中泉 .

中国专利 :CN104831337B ,2015-08-12

[5]

镍磷合金镀层的电沉积方法 [P].

薛群基 ;

王立平 ;

高燕 ;

徐洮 .

中国专利 :CN1978710A ,2007-06-13

[6]

一种钴镍磷-碳化硅电镀液及电镀方法 [P].

赵汝山 ;

马庆超 ;

马耀伟 .

中国专利 :CN103911638A ,2014-07-09

[7]

一种电沉积制备Al-MoS<sub>2</sub>复合镀层的方法 [P].

阚洪敏 ;

吴江 ;

齐麟新 ;

王晓阳 .

中国专利 :CN119287483A ,2025-01-10

[8]

一种制备镍-钴-三氧化二铝梯度复合镀层的方法 [P].

陈汉宾 ;

吴护林 ;

张隆平 ;

贾代金 ;

李忠盛 ;

陈晓琴 ;

孙彩云 ;

陈大军 .

中国专利 :CN104099647A ,2014-10-15

[9]

碳化硅陶瓷的制备方法和碳化硅陶瓷 [P].

刘乙男 ;

崔本仓 ;

方宏 ;

林润港 ;

曹民 .

中国专利 :CN119707497A ,2025-03-28

[10]

一种Co元素改进的电沉积纳米复合镀层及其制备方法 [P].

姜传海 ;

蔡飞 ;

张中泉 ;

付鹏 ;

赵远涛 .

中国专利 :CN104630850A ,2015-05-20

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