半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610100799.7

申请日：

1997-02-23

公开(公告)号：

CN1929152A

公开(公告)日：

2007-03-14

发明(设计)人：

山崎舜平小山润宫永昭治福永健司

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张志醒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-17	授权	授权
2007-03-14	公开	公开
2007-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-04-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101654741163 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL2006101007997 申请日:19970223 授权公告日:20090617 终止日期:20150223

共 50 条

[1]

半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN100388636C ,2005-01-19

[2]

半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1166048A ,1997-11-26

[3]

半导体薄膜，半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1169026A ,1997-12-31

[4]

半导体器件 [P].

T·R·西米尼克 ;

D·拉福雷特 ;

C·阿尔斯塔特 ;

H·霍弗 .

:CN118782648A ,2024-10-15

[5]

半导体器件 [P].

那须贤太郎 .

中国专利 :CN107403831B ,2017-11-28

[6]

半导体器件 [P].

沈善一 ;

崔升旭 .

中国专利 :CN108231779B ,2018-06-29

[7]

半导体器件 [P].

小山润 .

中国专利 :CN100461411C ,2007-02-14

[8]

半导体器件 [P].

那须贤太郎 .

日本专利 :CN112614893B ,2024-03-12

[9]

半导体器件 [P].

君塚直彦 ;

今井清隆 ;

益冈有里 ;

岩本敏幸 ;

西藤哲史 ;

渡边启仁 ;

多田鲇香 .

中国专利 :CN100388496C ,2005-11-30

[10]

半导体器件 [P].

那须贤太郎 .

中国专利 :CN112614893A ,2021-04-06

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