半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011547018.5
申请日
2017-05-18
公开(公告)号
CN112614893B
公开(公告)日
2024-03-12
发明(设计)人
那须贤太郎
申请人
罗姆股份有限公司
申请人地址
日本京都府
IPC主分类号
H01L29/78
IPC分类号
H01L27/02
代理机构
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人
龙淳;徐飞跃
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
那须贤太郎 .
中国专利 :CN107403831B ,2017-11-28
[2]
半导体器件 [P]. 
那须贤太郎 .
中国专利 :CN112614893A ,2021-04-06
[3]
半导体器件 [P]. 
金俊溶 ;
黄仁俊 .
韩国专利 :CN120659393A ,2025-09-16
[4]
半导体器件 [P]. 
林育圣 ;
野间崇 ;
石部真三 .
中国专利 :CN206639796U ,2017-11-14
[5]
半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P]. 
G.施密特 ;
M.巴鲁西克 ;
B.施托伊布 .
中国专利 :CN109994383A ,2019-07-09
[6]
半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P]. 
G.施密特 ;
M.巴鲁西克 ;
B.施托伊布 .
德国专利 :CN109994383B ,2025-03-28
[7]
半导体器件以及包括半导体器件的半导体装置 [P]. 
C·R·米勒 ;
S·布施霍恩 ;
J·G·拉文 .
中国专利 :CN112054022A ,2020-12-08
[8]
半导体器件 [P]. 
伊喜利勇贵 .
日本专利 :CN117747613A ,2024-03-22
[9]
半导体器件 [P]. 
中柴康隆 .
中国专利 :CN101290935A ,2008-10-22
[10]
半导体器件 [P]. 
门岛胜 ;
井上真雄 .
中国专利 :CN105140223A ,2015-12-09