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半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710353342.5
申请日
:
2017-05-18
公开(公告)号
:
CN107403831B
公开(公告)日
:
2017-11-28
发明(设计)人
:
那须贤太郎
申请人
:
申请人地址
:
日本京都府
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
代理机构
:
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人
:
龙淳
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-01-19
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170518
2021-01-15
授权
授权
2017-11-28
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件
[P].
那须贤太郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
罗姆股份有限公司
罗姆股份有限公司
那须贤太郎
.
日本专利
:CN112614893B
,2024-03-12
[2]
半导体器件
[P].
那须贤太郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
那须贤太郎
.
中国专利
:CN112614893A
,2021-04-06
[3]
半导体器件
[P].
金俊溶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金俊溶
;
黄仁俊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
黄仁俊
.
韩国专利
:CN120659393A
,2025-09-16
[4]
半导体器件
[P].
林育圣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林育圣
;
野间崇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
野间崇
;
石部真三
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
石部真三
.
中国专利
:CN206639796U
,2017-11-14
[5]
半导体器件和用于形成半导体器件的方法
[P].
G.施密特
论文数:
0
引用数:
0
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0
G.施密特
;
M.巴鲁西克
论文数:
0
引用数:
0
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0
M.巴鲁西克
;
B.施托伊布
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
B.施托伊布
.
中国专利
:CN109994383A
,2019-07-09
[6]
半导体器件和用于形成半导体器件的方法
[P].
G.施密特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
G.施密特
;
M.巴鲁西克
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
M.巴鲁西克
;
B.施托伊布
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
B.施托伊布
.
德国专利
:CN109994383B
,2025-03-28
[7]
半导体器件以及包括半导体器件的半导体装置
[P].
C·R·米勒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
C·R·米勒
;
S·布施霍恩
论文数:
0
引用数:
0
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0
S·布施霍恩
;
J·G·拉文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J·G·拉文
.
中国专利
:CN112054022A
,2020-12-08
[8]
半导体器件
[P].
伊喜利勇贵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
伊喜利勇贵
.
日本专利
:CN117747613A
,2024-03-22
[9]
半导体器件
[P].
中柴康隆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
中柴康隆
.
中国专利
:CN101290935A
,2008-10-22
[10]
半导体器件
[P].
门岛胜
论文数:
0
引用数:
0
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0
门岛胜
;
井上真雄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
井上真雄
.
中国专利
:CN105140223A
,2015-12-09
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