半导体装置、固态摄像装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080010005.6

申请日：

2020-02-07

公开(公告)号：

CN113330564A

公开(公告)日：

2021-08-31

发明(设计)人：

冨田知大冈本晋太郎平井友洋

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L213205 H01L21336 H01L21768 H01L21822 H01L218234 H01L23522 H01L23532 H01L2706 H01L27146 H01L2978 H04N5369 H04N5378

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

曹正建;陈桂香

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

长井雅嗣 ;

佐藤慎吾 .

日本专利 :CN118588751A ,2024-09-03

[2]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

小松大辉 .

日本专利 :CN120813029A ,2025-10-17

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

北田瑞枝 ;

浅田毅 ;

山口武司 ;

铃木教章 ;

新井大辅 .

中国专利 :CN108292682A ,2018-07-17

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

泽田达郎 .

中国专利 :CN113597661A ,2021-11-02

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

吉冈启 ;

小林仁 ;

关口秀树 ;

洪洪 ;

矶部康裕 ;

杉山亨 .

日本专利 :CN118693142A ,2024-09-24

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

野口晴司 .

日本专利 :CN117913131A ,2024-04-19

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

泽田达郎 .

中国专利 :CN113614924A ,2021-11-05

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

甲谷真吾 .

中国专利 :CN115053353A ,2022-09-13

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

千叶亮 .

中国专利 :CN105609505A ,2016-05-25

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-31	公开	公开
2022-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/04 申请日:20200207