一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110193837.2

申请日：

2021-02-20

公开(公告)号：

CN112758888B

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

张乐民刘福民张树伟崔尉梁德春杨静刘宇

申请人：

申请人地址：

100854 北京市海淀区北京142信箱403分箱

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

代理机构：

中国航天科技专利中心 11009

代理人：

陈鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20210220
2021-05-07	公开	公开
2022-12-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺 [P].

廖广兰 ;

史铁林 ;

孙博 ;

盛文军 ;

张康 ;

汤自荣 ;

夏奇 ;

高阳 ;

谭先华 .

中国专利 :CN102956548B ,2013-03-06

[2]

刻蚀形成硅通孔的方法与硅通孔刻蚀装置 [P].

李俊良 ;

倪图强 .

中国专利 :CN106298498A ,2017-01-04

[3]

硅通孔背面导通的制造工艺方法 [P].

许升高 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN103377984A ,2013-10-30

[4]

一种改善硅通孔电性的制备方法 [P].

向鹏江 ;

周祖源 .

中国专利 :CN119153394A ,2024-12-17

[5]

一种刻蚀微米硅通孔的方法 [P].

夏江 .

中国专利 :CN105668509B ,2016-06-15

[6]

一种硅基MEMS微纳通孔结构的制作方法 [P].

焦海龙 ;

赵广宏 ;

李文博 ;

金小锋 ;

张世名 ;

邹江波 .

中国专利 :CN106335871A ,2017-01-18

[7]

一种深硅孔结构博世刻蚀工艺加工方法 [P].

宋金会 ;

王毅 ;

陈路华 ;

曾相喆 .

中国专利 :CN118899258A ,2024-11-05

[8]

一种硅通孔刻蚀方法 [P].

廖广兰 ;

高阳 ;

史铁林 ;

谭先华 ;

李晓平 ;

卓锐 .

中国专利 :CN102431960A ,2012-05-02

[9]

一种硅与金属复合材料的微结构加工方法 [P].

郭育华 ;

王英男 ;

江争 ;

马广礼 .

中国专利 :CN102167282A ,2011-08-31

[10]

一种刻蚀硅通孔的方法 [P].

余东洋 ;

卞祖洋 ;

严利均 .

中国专利 :CN104576506A ,2015-04-29

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