一种深硅孔结构博世刻蚀工艺加工方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410932464.X

申请日：

2024-07-12

公开(公告)号：

CN118899258A

公开(公告)日：

2024-11-05

发明(设计)人：

宋金会王毅陈路华曾相喆

申请人：

大连理工大学

申请人地址：

116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

代理机构：

辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102

代理人：

李宝元

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-05	公开	公开
2024-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240712

共 50 条

[1]

一种硅深孔刻蚀方法 [P].

李俊杰 ;

孟令款 ;

李春龙 ;

洪培真 ;

崔虎山 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105584986A ,2016-05-18

[2]

一种深硅刻蚀工艺 [P].

胡竞之 ;

谢秋实 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN107611026A ,2018-01-19

[3]

深硅刻蚀方法 [P].

周娜 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN104671193A ,2015-06-03

[4]

一种深硅刻蚀方法 [P].

袁仁志 ;

林源为 ;

张海苗 ;

苏子铎 ;

陈振鹏 ;

董子晗 .

中国专利 :CN111243951A ,2020-06-05

[5]

一种深硅刻蚀方法 [P].

涂良成 ;

伍文杰 ;

范继 ;

刘金全 ;

罗俊 .

中国专利 :CN103950887A ,2014-07-30

[6]

硅通孔刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

许颂临 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104637867A ,2015-05-20

[7]

硅通孔刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

许颂临 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104637866B ,2015-05-20

[8]

深硅刻蚀方法和用于深硅刻蚀的设备 [P].

白志民 ;

郑有山 ;

李兴存 .

中国专利 :CN104743496A ,2015-07-01

[9]

深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件 [P].

林源为 .

中国专利 :CN110534425B ,2019-12-03

[10]

深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件 [P].

林源为 .

中国专利 :CN110534426A ,2019-12-03

← 1 2 3 4 5 →