一种硅深孔刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410571338.2

申请日：

2014-10-23

公开(公告)号：

CN105584986A

公开(公告)日：

2016-05-18

发明(设计)人：

李俊杰孟令款李春龙洪培真崔虎山李俊峰赵超

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

B81B702

代理机构：

北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370

代理人：

朱海波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	公开	公开
2018-02-09	授权	授权
2016-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效专利申请号:2014105713382 申请日:20141023 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101665085620 IPC(主分类):B81C 1/00

共 50 条

[1]

硅深孔刻蚀方法 [P].

胡竞之 .

中国专利 :CN108573867B ,2018-09-25

[2]

硅深孔刻蚀方法 [P].

钦华林 .

中国专利 :CN105679700B ,2016-06-15

[3]

深硅孔刻蚀方法 [P].

李战强 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN105720003A ,2016-06-29

[4]

一种深硅通孔的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103824767B ,2014-05-28

[5]

深硅刻蚀方法 [P].

周娜 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN104671193A ,2015-06-03

[6]

一种深硅刻蚀方法 [P].

袁仁志 ;

林源为 ;

张海苗 ;

苏子铎 ;

陈振鹏 ;

董子晗 .

中国专利 :CN111243951A ,2020-06-05

[7]

一种低频BOSCH深硅刻蚀方法 [P].

徐丽华 ;

褚卫国 .

中国专利 :CN104465336B ,2015-03-25

[8]

一种深孔刻蚀方法 [P].

姚佳祺 ;

李思阳 ;

赵鹏 .

中国专利 :CN120527295A ,2025-08-22

[9]

一种深硅孔结构博世刻蚀工艺加工方法 [P].

宋金会 ;

王毅 ;

陈路华 ;

曾相喆 .

中国专利 :CN118899258A ,2024-11-05

[10]

一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法 [P].

肖为引 ;

王猛 ;

刘隆冬 ;

苏恒 ;

朱喜峰 .

中国专利 :CN107968058B ,2018-04-27

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