硅深孔刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710146151.1

申请日：

2017-03-13

公开(公告)号：

CN108573867B

公开(公告)日：

2018-09-25

发明(设计)人：

胡竞之

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L2102 B81C100

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;张天舒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-16	授权	授权
2018-09-25	公开	公开
2018-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20170313

共 50 条

[1]

硅深孔刻蚀方法 [P].

钦华林 .

中国专利 :CN105679700B ,2016-06-15

[2]

深硅孔刻蚀方法 [P].

李战强 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN105720003A ,2016-06-29

[3]

一种硅深孔刻蚀方法 [P].

李俊杰 ;

孟令款 ;

李春龙 ;

洪培真 ;

崔虎山 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105584986A ,2016-05-18

[4]

硅通孔的深孔底部开窗刻蚀方法 [P].

周娜 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN105336671A ,2016-02-17

[5]

深硅刻蚀方法和用于深硅刻蚀的设备 [P].

白志民 ;

郑有山 ;

李兴存 .

中国专利 :CN104743496A ,2015-07-01

[6]

一种深硅通孔的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103824767B ,2014-05-28

[7]

硅刻蚀方法 [P].

王晓娟 ;

郑波 ;

马振国 ;

吴鑫 ;

王春 ;

史晶 .

中国专利 :CN111916349A ,2020-11-10

[8]

硅刻蚀方法 [P].

王晓娟 ;

郑波 ;

马振国 ;

吴鑫 ;

王春 ;

史晶 .

中国专利 :CN111916349B ,2024-11-26

[9]

深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件 [P].

林源为 .

中国专利 :CN110534425B ,2019-12-03

[10]

深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件 [P].

林源为 .

中国专利 :CN110534426A ,2019-12-03

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