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深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811087025.4
申请日：
2018-09-18
公开(公告)号：
CN110534425B
公开(公告)日：
2019-12-03
发明(设计)人：
林源为
申请人：
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号：
H01L213065
IPC分类号：
代理机构：
北京思创毕升专利事务所 11218
代理人：
孙向民;廉莉莉
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-16 | 授权 | 授权 |
| 2019-12-03 | 公开 | 公开 |
| 2019-12-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20180918 |