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半导体深硅刻蚀方法及其应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510625652.2
申请日：
2025-05-15
公开(公告)号：
CN120356824A
公开(公告)日：
2025-07-22
发明(设计)人：
朱斌青 卢建娅
申请人：
苏州苏纳光电有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区1幢101、102室
IPC主分类号：
H01L21/3065
IPC分类号：
H01L21/033
代理机构：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人：
李志
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-22 公开 公开
2025-08-08 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20250515
共 50 条
[1]
深硅刻蚀方法及半导体工艺设备 [P]. 
葛鹏飞 ;
桑爱书 .
中国专利 :CN120767198A ,2025-10-10
[2]
深硅刻蚀方法及半导体工艺设备 [P]. 
葛鹏飞 ;
桑爱书 .
中国专利 :CN120749016A ,2025-10-03
[3]
深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件 [P]. 
林源为 .
中国专利 :CN110534425B ,2019-12-03
[4]
深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件 [P]. 
林源为 .
中国专利 :CN110534426A ,2019-12-03
[5]
一种深硅刻蚀方法和半导体工艺设备 [P]. 
林源为 .
中国专利 :CN114446779B ,2024-05-14
[6]
一种深硅刻蚀方法和半导体工艺设备 [P]. 
林源为 .
中国专利 :CN114446779A ,2022-05-06
[7]
深硅刻蚀方法 [P]. 
付思齐 ;
时文华 ;
缪小虎 ;
周韦娟 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN102881582B ,2013-01-16
[8]
深硅刻蚀方法 [P]. 
莫中友 .
中国专利 :CN105185704A ,2015-12-23
[9]
深硅刻蚀方法 [P]. 
郭子超 ;
虢晓双 ;
张旭 ;
肖定邦 ;
张欢 ;
侯占强 ;
吴光跃 ;
吴学忠 .
中国专利 :CN103762160B ,2014-04-30
[10]
深硅刻蚀方法 [P]. 
付思齐 ;
时文华 ;
王敏锐 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN102800567A ,2012-11-28
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