深硅刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210307648.4

申请日：

2012-08-27

公开(公告)号：

CN102800567A

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

付思齐时文华王敏锐张宝顺

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

B81C100 G03F700

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383320504 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012103076484 申请日:20120827
2014-09-03	授权	授权
2012-11-28	公开	公开
2021-08-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20120827 授权公告日:20140903 终止日期:20200827

共 50 条

[1]

深硅刻蚀方法 [P].

付思齐 ;

时文华 ;

缪小虎 ;

周韦娟 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102881582B ,2013-01-16

[2]

深硅刻蚀方法 [P].

莫中友 .

中国专利 :CN105185704A ,2015-12-23

[3]

深硅刻蚀方法 [P].

郭子超 ;

虢晓双 ;

张旭 ;

肖定邦 ;

张欢 ;

侯占强 ;

吴光跃 ;

吴学忠 .

中国专利 :CN103762160B ,2014-04-30

[4]

深硅刻蚀方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

崔志超 .

中国专利 :CN108364867B ,2018-08-03

[5]

深硅刻蚀方法 [P].

周娜 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN104671193A ,2015-06-03

[6]

深硅刻蚀方法和用于深硅刻蚀的设备 [P].

白志民 ;

郑有山 ;

李兴存 .

中国专利 :CN104743496A ,2015-07-01

[7]

深硅刻蚀控制方法、深硅刻蚀控制系统及刻蚀设备 [P].

李俭 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

胥沛雯 ;

张名瑜 .

中国专利 :CN120432433A ,2025-08-05

[8]

深硅刻蚀控制方法、深硅刻蚀控制系统及刻蚀设备 [P].

李俭 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

胥沛雯 ;

张名瑜 .

中国专利 :CN120432433B ,2025-09-26

[9]

深硅刻蚀形貌控制方法 [P].

徐伟 ;

颜培力 ;

张斌 .

中国专利 :CN113880043A ,2022-01-04

[10]

一种深硅刻蚀工艺和深硅刻蚀设备 [P].

谢秋实 .

中国专利 :CN107305836A ,2017-10-31

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