深硅刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810167284.1

申请日：

2018-02-28

公开(公告)号：

CN108364867B

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

阮勇尤政崔志超

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

B81C100

代理机构：

北京华进京联知识产权代理有限公司 11606

代理人：

王赛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-03	公开	公开
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20180228
2019-04-30	授权	授权

共 50 条

[1]

深硅刻蚀方法 [P].

付思齐 ;

时文华 ;

缪小虎 ;

周韦娟 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102881582B ,2013-01-16

[2]

深硅刻蚀方法 [P].

莫中友 .

中国专利 :CN105185704A ,2015-12-23

[3]

深硅刻蚀方法 [P].

郭子超 ;

虢晓双 ;

张旭 ;

肖定邦 ;

张欢 ;

侯占强 ;

吴光跃 ;

吴学忠 .

中国专利 :CN103762160B ,2014-04-30

[4]

深硅刻蚀方法 [P].

付思齐 ;

时文华 ;

王敏锐 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102800567A ,2012-11-28

[5]

深硅刻蚀方法 [P].

周娜 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN104671193A ,2015-06-03

[6]

深硅刻蚀方法和用于深硅刻蚀的设备 [P].

白志民 ;

郑有山 ;

李兴存 .

中国专利 :CN104743496A ,2015-07-01

[7]

深硅刻蚀控制方法、深硅刻蚀控制系统及刻蚀设备 [P].

李俭 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

胥沛雯 ;

张名瑜 .

中国专利 :CN120432433A ,2025-08-05

[8]

深硅刻蚀控制方法、深硅刻蚀控制系统及刻蚀设备 [P].

李俭 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

胥沛雯 ;

张名瑜 .

中国专利 :CN120432433B ,2025-09-26

[9]

一种深硅刻蚀方法 [P].

周洋 .

中国专利 :CN101962773A ,2011-02-02

[10]

一种深硅刻蚀方法 [P].

涂良成 ;

伍文杰 ;

范继 ;

刘金全 ;

罗俊 .

中国专利 :CN103950887A ,2014-07-30

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