深硅刻蚀控制方法、深硅刻蚀控制系统及刻蚀设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510558003.5

申请日：

2025-04-29

公开(公告)号：

CN120432433B

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

李俭王士京王兆祥胥沛雯张名瑜

申请人：

上海邦芯半导体科技有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房

IPC主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

C30B33/12

代理机构：

上海华霆知识产权代理事务所(普通合伙) 31576

代理人：

王宁萍

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	授权	授权
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20250429
2025-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

深硅刻蚀控制方法、深硅刻蚀控制系统及刻蚀设备 [P].

李俭 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

胥沛雯 ;

张名瑜 .

中国专利 :CN120432433A ,2025-08-05

[2]

深硅刻蚀方法 [P].

周娜 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN104671193A ,2015-06-03

[3]

深硅刻蚀方法和用于深硅刻蚀的设备 [P].

白志民 ;

郑有山 ;

李兴存 .

中国专利 :CN104743496A ,2015-07-01

[4]

深硅刻蚀形貌控制方法 [P].

徐伟 ;

颜培力 ;

张斌 .

中国专利 :CN113880043A ,2022-01-04

[5]

深硅刻蚀方法 [P].

付思齐 ;

时文华 ;

缪小虎 ;

周韦娟 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102881582B ,2013-01-16

[6]

深硅刻蚀方法 [P].

莫中友 .

中国专利 :CN105185704A ,2015-12-23

[7]

深硅刻蚀方法 [P].

郭子超 ;

虢晓双 ;

张旭 ;

肖定邦 ;

张欢 ;

侯占强 ;

吴光跃 ;

吴学忠 .

中国专利 :CN103762160B ,2014-04-30

[8]

深硅刻蚀方法 [P].

付思齐 ;

时文华 ;

王敏锐 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102800567A ,2012-11-28

[9]

深硅刻蚀方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

崔志超 .

中国专利 :CN108364867B ,2018-08-03

[10]

深硅刻蚀装置和深硅刻蚀设备的进气系统 [P].

周洋 .

中国专利 :CN101643904A ,2010-02-10

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