一种深硅刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910089819.9

申请日：

2009-07-24

公开(公告)号：

CN101962773A

公开(公告)日：

2011-02-02

发明(设计)人：

周洋

申请人：

申请人地址：

100016 北京市朝阳区酒仙桥东路一号

IPC主分类号：

C23F102

IPC分类号：

C23F112

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

逯长明;王宝筠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	授权	授权
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059289952 IPC(主分类):C23F 1/02 专利申请号:2009100898199 申请日:20090724
2018-08-14	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/306 变更事项:专利权人变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更后:北京北方华创微电子装备有限公司变更事项:地址变更前:100016 北京市朝阳区酒仙桥东路一号变更后:100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号
2011-02-02	公开	公开

共 50 条

[1]

深硅刻蚀方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

崔志超 .

中国专利 :CN108364867B ,2018-08-03

[2]

一种深硅刻蚀方法 [P].

涂良成 ;

伍文杰 ;

范继 ;

刘金全 ;

罗俊 .

中国专利 :CN103950887A ,2014-07-30

[3]

深硅刻蚀方法 [P].

付思齐 ;

时文华 ;

缪小虎 ;

周韦娟 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102881582B ,2013-01-16

[4]

深硅刻蚀方法 [P].

莫中友 .

中国专利 :CN105185704A ,2015-12-23

[5]

深硅刻蚀方法 [P].

郭子超 ;

虢晓双 ;

张旭 ;

肖定邦 ;

张欢 ;

侯占强 ;

吴光跃 ;

吴学忠 .

中国专利 :CN103762160B ,2014-04-30

[6]

深硅刻蚀方法 [P].

付思齐 ;

时文华 ;

王敏锐 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102800567A ,2012-11-28

[7]

深硅刻蚀方法 [P].

周娜 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN104671193A ,2015-06-03

[8]

一种深硅刻蚀方法 [P].

王红超 ;

刘身健 ;

严利均 .

中国专利 :CN105097440B ,2015-11-25

[9]

一种深硅刻蚀方法 [P].

万宇 .

中国专利 :CN108133888B ,2018-06-08

[10]

一种深硅刻蚀工艺和深硅刻蚀设备 [P].

谢秋实 .

中国专利 :CN107305836A ,2017-10-31

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