一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711182130.1

申请日：

2017-11-23

公开(公告)号：

CN107968058B

公开(公告)日：

2018-04-27

发明(设计)人：

肖为引王猛刘隆冬苏恒朱喜峰

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L2711524 H01L271157 H01L2711551 H01L2711578

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

刘广达

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20171123
2018-04-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种深硅通孔的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103824767B ,2014-05-28

[2]

一种深孔硅刻蚀方法 [P].

陶铮 ;

松尾裕史 ;

傅远 ;

许颂临 ;

尹志尧 .

中国专利 :CN103871956A ,2014-06-18

[3]

一种硅深孔刻蚀方法 [P].

李俊杰 ;

孟令款 ;

李春龙 ;

洪培真 ;

崔虎山 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN105584986A ,2016-05-18

[4]

一种单层硅衬底的通孔刻蚀方法 [P].

梁德春 ;

刘福民 ;

杨静 ;

崔尉 ;

邱飞燕 ;

吴浩越 .

中国专利 :CN110190025B ,2019-08-30

[5]

一种深硅刻蚀方法 [P].

田翠霞 ;

王友伟 ;

车洪祥 ;

方合 ;

徐雷军 .

中国专利 :CN115116843A ,2022-09-27

[6]

一种深孔刻蚀方法 [P].

姚佳祺 ;

李思阳 ;

赵鹏 .

中国专利 :CN120527295A ,2025-08-22

[7]

一种深孔底部氧化硅绝缘层的刻蚀方法 [P].

于大全 ;

戴风伟 ;

徐成 ;

李昭强 .

中国专利 :CN103441097B ,2013-12-11

[8]

一种控制湿法刻蚀形貌的方法 [P].

牛科研 ;

雷嘉成 ;

郭德霄 .

中国专利 :CN119480636A ,2025-02-18

[9]

一种用于改善硅电容深槽底部介质层尖角的深槽刻蚀方法 [P].

袁铭霞 ;

蒋万里 .

中国专利 :CN120583689A ,2025-09-02

[10]

一种环形硅深孔及环形硅深孔电极的制备方法 [P].

李广宁 ;

沈哲敏 .

中国专利 :CN103985666A ,2014-08-13

← 1 2 3 4 5 →