一种环形硅深孔及环形硅深孔电极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310048397.7

申请日：

2013-02-07

公开(公告)号：

CN103985666A

公开(公告)日：

2014-08-13

发明(设计)人：

李广宁沈哲敏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586825648 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013100483977 申请日:20130207
2017-12-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20140813
2014-08-13	公开	公开

共 50 条

[1]

深硅孔刻蚀方法 [P].

李战强 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN105720003A ,2016-06-29

[2]

一种深硅通孔的刻蚀方法 [P].

崔在雄 ;

凯文·皮尔斯 ;

吴万俊 ;

严利均 ;

雷本亮 .

中国专利 :CN102031525A ,2011-04-27

[3]

一种深孔硅刻蚀方法 [P].

陶铮 ;

松尾裕史 ;

傅远 ;

许颂临 ;

尹志尧 .

中国专利 :CN103871956A ,2014-06-18

[4]

一种深硅通孔的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103824767B ,2014-05-28

[5]

深硅沟槽刻蚀方法及硅器件 [P].

陈桥波 .

中国专利 :CN110071039A ,2019-07-30

[6]

一种深硅刻蚀方法 [P].

田翠霞 ;

王友伟 ;

车洪祥 ;

方合 ;

徐雷军 .

中国专利 :CN115116843A ,2022-09-27

[7]

一种深孔自定位电极装置 [P].

张庆吉 ;

王晶 ;

屠毓敏 .

中国专利 :CN206271660U ,2017-06-20

[8]

一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法 [P].

肖为引 ;

王猛 ;

刘隆冬 ;

苏恒 ;

朱喜峰 .

中国专利 :CN107968058B ,2018-04-27

[9]

一种硅基纳米孔的制作方法 [P].

司卫华 ;

刘泽文 .

中国专利 :CN101798059B ,2010-08-11

[10]

一种硅基固态纳米孔及制备方法、硅基固态纳米孔测序仪 [P].

莫晖 ;

张新联 ;

高振兵 ;

尹良超 .

中国专利 :CN111634882B ,2021-04-23

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