超薄绝缘体上硅（SOI）衬底基片及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202110312120.5

申请日：

2021-03-24

公开(公告)号：

CN114267628A

公开(公告)日：

2022-04-01

发明(设计)人：

季明华张汝京林志高苏崇文

申请人：

申请人地址：

266426 山东省青岛市黄岛区山王河路1088号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479

代理人：

王立红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-01	公开	公开
2022-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20210324

共 50 条

[1]

绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103035654B ,2013-04-10

[2]

绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 ;

许丹 .

中国专利 :CN103022054A ,2013-04-03

[3]

绝缘体上的硅(SOI)衬底的制造工艺 [P].

阿闭忠司 .

中国专利 :CN1155755A ,1997-07-30

[4]

绝缘体上的硅衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101369525A ,2009-02-18

[5]

绝缘体上硅及其制备方法 [P].

徐春云 ;

徐振宇 .

中国专利 :CN104766788A ,2015-07-08

[6]

一种绝缘体上硅衬底及其制备方法 [P].

马乾志 ;

孙晨光 ;

王彦君 ;

姚祖英 ;

马坤 ;

张雨杭 ;

张奇 ;

魏启旺 ;

罗朝阳 ;

谷海云 .

中国专利 :CN116053191B ,2024-02-09

[7]

一种多层绝缘体上硅衬底及其制备方法、应用 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

王桂磊 ;

罗雪 ;

王云 .

中国专利 :CN113192970B ,2021-07-30

[8]

绝缘体上硅衬底的制造方法 [P].

刘玮荪 .

中国专利 :CN108428664B ,2018-08-21

[9]

制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101604657B ,2009-12-16

[10]

绝缘体上锗硅衬底的制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 .

中国专利 :CN100557767C ,2009-02-04

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