绝缘体上的硅衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810201039.4

申请日：

2008-10-10

公开(公告)号：

CN101369525A

公开(公告)日：

2009-02-18

发明(设计)人：

魏星王湘张苗王曦林成鲁

申请人：

申请人地址：

201821上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2120 H01L21762 H01L2184

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所

代理人：

翟羽

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:上海新傲科技有限公司变更后:上海新傲科技股份有限公司变更事项:地址变更前:上海市嘉定区普惠路200号邮编: 201821 变更后:上海市嘉定区普惠路200号邮编: 201821
2010-01-27	授权	授权
2009-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

绝缘体上锗硅衬底的制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 .

中国专利 :CN100557767C ,2009-02-04

[2]

绝缘体上的硅(SOI)衬底的制造工艺 [P].

阿闭忠司 .

中国专利 :CN1155755A ,1997-07-30

[3]

绝缘体上的硅衬底的制造方法及制造设备 [P].

阿闭忠司 .

中国专利 :CN1160285A ,1997-09-24

[4]

制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101604657B ,2009-12-16

[5]

绝缘体上硅衬底的制造方法 [P].

刘玮荪 .

中国专利 :CN108428664B ,2018-08-21

[6]

形成绝缘体上硅衬底的方法 [P].

艾力克斯·乌先科 .

中国专利 :CN109616440A ,2019-04-12

[7]

超薄绝缘体上硅（SOI）衬底基片及其制备方法 [P].

季明华 ;

张汝京 ;

林志高 ;

苏崇文 .

中国专利 :CN114267628A ,2022-04-01

[8]

使绝缘体上硅衬底减薄的方法 [P].

P·雷诺 ;

L·伊卡尔诺 ;

K·拉德万 .

中国专利 :CN102396051B ,2012-03-28

[9]

绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103035654B ,2013-04-10

[10]

绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 ;

许丹 .

中国专利 :CN103022054A ,2013-04-03

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