绝缘体上的硅衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810201039.4

申请日：

2008-10-10

公开(公告)号：

CN101369525A

公开(公告)日：

2009-02-18

发明(设计)人：

魏星王湘张苗王曦林成鲁

申请人：

申请人地址：

201821上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2120 H01L21762 H01L2184

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所

代理人：

翟羽

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:上海新傲科技有限公司变更后:上海新傲科技股份有限公司变更事项:地址变更前:上海市嘉定区普惠路200号邮编: 201821 变更后:上海市嘉定区普惠路200号邮编: 201821
2010-01-27	授权	授权
2009-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-18	公开	公开

共 50 条

[41]

绝缘体上硅衬底、半导体装置及其制造方法 [P].

吴政达 ;

曾国华 ;

王志豪 ;

杜友伦 ;

喻中一 .

中国专利 :CN109727907A ,2019-05-07

[42]

绝缘体上硅的衬底上混合结构栅介质材料的制备方法 [P].

林成鲁 ;

朱鸣 ;

林青 ;

张苗 .

中国专利 :CN1300855C ,2004-12-08

[43]

一种绝缘体上硅衬底及其制造方法及CMOS器件制造方法 [P].

季明华 ;

张汝京 .

中国专利 :CN115394707A ,2022-11-25

[44]

绝缘体上压电（POI）衬底和用于制造绝缘体上压电（POI）衬底的方法 [P].

亚历克西斯·德劳因 ;

I·于耶 ;

O·科农丘克 ;

M·波卡特 ;

L·卡佩罗 ;

B·塔维尔 .

法国专利 :CN120113394A ,2025-06-06

[45]

具有改进的绝缘图形的绝缘体上硅薄膜衬底 [P].

滨岛智宏 .

中国专利 :CN1187687A ,1998-07-15

[46]

基于绝缘体上硅选择性制备多孔硅的方法 [P].

许高斌 ;

卢翌 ;

陈兴 ;

马渊明 .

中国专利 :CN103395740A ,2013-11-20

[47]

制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法 [P].

欧欣 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN101477963A ,2009-07-08

[48]

绝缘体上硅衬底的电阻检测结构及检测方法 [P].

张旭 .

中国专利 :CN118073325A ,2024-05-24

[49]

基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法 [P].

俞文杰 ;

费璐 ;

刘强 ;

刘畅 ;

文娇 ;

王翼泽 ;

王曦 .

中国专利 :CN105914445A ,2016-08-31

[50]

一种绝缘体上硅衬底及其制备方法、应用 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

王桂磊 ;

戚璇 ;

王云 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN113471289A ,2021-10-01

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